4Gb w technologii 20 nanometrów

Wprowadzając na rynek swoje nowe pamięci DRAM DDR3 o pojemności 4Gb, firma Samsung przekroczyła kolejną barierę w redukcji rozmiarów kości DRAM.

Komórki pamięci produkowane są w technologii 20 nm przy wykorzystaniu powszechnie dostępnej litografii immersyjnej z użyciem laserów ArF.

Miniaturyzacja komórek pamięci DRAM jest trudniejsza niż w wypadku pamięci NAND Flash. Pierwsze z nich składają się z połączonych ze sobą kondensatora i tranzystora, natomiast w przypadku NAND Flash komórka zawiera jedynie tranzystor. Aby osiągnąć obecny poziom miniaturyzacji, firma Samsung dopracowała swoje technologie projektowania i wytwarzania, wprowadzając zmodyfikowane techniki podwójnego naświetlania i osadzania warstw atomowych.

20nm-4gb-ddr3-02

Dzięki wykorzystaniu nowych technologii do wytwarzania kości DDR3 w procesie 20 nm, układy te produkowane są o ponad trzydzieści procent szybciej w porównaniu z poprzednią pamięcią DDR3 wykonywaną w procesie 25 nm i ponad dwukrotnie szybciej w porównaniu ze starszymi modułami DDR3 wytwarzanymi w klasie 30 nm*.

Co więcej, moduły pamięci oparte na nowych kościach 4Gb zużywają do dwudziestu pięciu procent mniej energii niż odpowiadające im objętością moduły oparte na starszej technologii 25 nm. W oparciu o to usprawnienie firma Samsung dostarcza międzynarodowym przedsiębiorstwom najnowocześniejsze, a przy tym także ekologiczne rozwiązania z dziedziny komputeryzacji.

 
 

Katagoria: Aktualności
Słowa kluczowe: ,
Opublikowano 4 lata temu.
Publikacja była czytana: 866  razy.